特許
J-GLOBAL ID：200903006608855495
酸化物の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230144
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053581
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】酸化物を低温で確実に形成する。【解決手段】高温高圧水に半導体材料を接触させて、当該半導体材料の酸化物を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
温度200°C以上かつ圧力1.5MPa以上の水に半導体材料を接触させて前記半導体材料の酸化物を形成する工程を含む、酸化物の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F058BB01
, 5F058BC02
, 5F058BF69
, 5F058BJ01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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シリコン酸化膜の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-201537
出願人：信越化学工業株式会社
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酸化膜形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-277911
出願人：株式会社東芝
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特開昭54-047577
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