半導体製造装置の洗浄装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-030068
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169493
出願日： 2011年02月15日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：

【課題】部品の洗浄効率を向上することができる半導体製造装置の洗浄装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置1には、半導体製造装置の部品に付着した付着物の表面の酸化物を除去する酸化物除去部3と、酸化物除去部3により表面の酸化物が除去された付着物を除去する付着物除去部2と、が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体製造装置の部品に付着した付着物の表面の酸化物を除去する酸化物除去手段と、前記酸化物除去手段により表面の酸化物が除去された付着物を除去する付着物除去手段と、を有することを特徴とする半導体製造装置の洗浄装置。

IPC (5件)：

H01L 21/306 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L21/302 101H , H01L29/80 H , H01L21/205

Fターム (34件)：

5F004AA13 , 5F004AA15 , 5F004BC06 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA29 , 5F004DB00 , 5F004DB13 , 5F004DB19 , 5F004EA28 , 5F004FA08 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045BB15 , 5F045CA07 , 5F045EB06 , 5F045HA13 , 5F102GA16 , 5F102GA17 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GL04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS04 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (9件)

基板処理装置のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-334214 出願人：東京エレクトロン株式会社
薄膜気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-292565 出願人：富士通株式会社
窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-299884 出願人：大陽日酸株式会社

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