特許
J-GLOBAL ID：200903008557851840

反射防止膜及び半導体装置の製造方法

発明者：
辻田 好一郎

辻田 好一郎 について

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山口 敦美

山口 敦美 について

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坂井 淳二郎

坂井 淳二郎 について

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小田 耕治

小田 耕治 について

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成松 孝一郎

成松 孝一郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013262
公開番号（公開出願番号）：特開2002-214793
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：
【要約】【課題】 レジストを精度良くパターニング可能な反射防止膜を提供する。【解決手段】 反射防止膜10は、プラズマCVD法で形成される下層及び上層シリコン窒化膜(p-SiN膜)11,12を含んで成る2層構造を有している。下層p-SiN膜11に関して、複素屈折率の実部nを1.9以上2.5以下の範囲内に、虚部kを0.9以上k以下1.7の範囲内に及び膜厚を20nm以上60nm以下の範囲内に設定している。上層p-SiN膜12に関して、複素屈折率の実部nを1.7以上2.4以下の範囲内に、虚部kを0.15以上0.75以下の範囲内に及び膜厚を10nm以上40nm以下の範囲内に設定している。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造工程において下地層とレジストとの間に配置される反射防止膜であって、プラズマ化学気相成長法によって形成されて化学量論的な窒化シリコン(Si3N4)よりもシリコンを多く含み、前記下地層上に配置される下層プラズマシリコン窒化膜と、前記プラズマ化学気相成長法によって形成されて前記化学量論的な窒化シリコン(Si3N4)よりも前記シリコンを多く含み、前記下層プラズマシリコン窒化膜上に形成された上層プラズマシリコン窒化膜とを備え、前記下層プラズマシリコン窒化膜の複素屈折率の実部及び虚部はそれぞれ1.9以上2.5以下及び0.9以上1.7以下の範囲内の値を有すると共に、前記下層プラズマシリコン窒化膜は20nm以上60nm以下の範囲内の厚さを有し、前記上層プラズマシリコン窒化膜の複素屈折率の実部及び虚部はそれぞれ1.7以上2.4以下及び0.15以上0.75以下の範囲内の値を有すると共に、前記上層プラズマシリコン窒化膜は10nm以上40nm以下の範囲内の厚さを有することを特徴とする、反射防止膜。
IPC (7件)：
G03F 7/11 503 ,  C23C 16/34 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (7件)：
G03F 7/11 503 ,  C23C 16/34 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 J
Fターム (37件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025DA34 ,  2H096AA25 ,  2H096CA06 ,  2H096LA16 ,  4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA11 ,  5F004AA16 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB17 ,  5F004EA03 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23 ,  5F046PA03 ,  5F046PA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF73
引用特許：
審査官引用 (5件)
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