特許
J-GLOBAL ID：201203032796151560

半導体装置の製造方法

発明者：
高本 尚英

高本 尚英 について

, 
浅井 文輝

浅井 文輝 について

, 
志賀 豪士

志賀 豪士 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-015397
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156377
出願日： 2011年01月27日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】フリップチップ型半導体裏面用フィルムに効率よくレーザーマーキングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 フリップチップ型半導体裏面用フィルムと、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの外周上に設けられたリング状の粘着剤層とを有する粘着剤層付き半導体裏面用フィルムを用意する工程Aと、粘着剤層よりも内側の、粘着剤層が積層されていないフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に、半導体ウエハを貼り付ける工程Bと、粘着剤層にダイシングリングを貼り付ける工程Cと、工程B及び工程Cの後に、フリップチップ型半導体裏面用フィルムにレーザーマーキングを行う工程Dとを具備する半導体装置の製造方法。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
フリップチップ型半導体裏面用フィルムと、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの外周上に設けられたリング状の粘着剤層とを有する粘着剤層付き半導体裏面用フィルムを用意する工程Aと、 前記粘着剤層よりも内側の、前記粘着剤層が積層されていない前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム上に、半導体ウエハを貼り付ける工程Bと、 前記粘着剤層にダイシングリングを貼り付ける工程Cと、 前記工程B及び前記工程Cの後に、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムにレーザーマーキングを行う工程Dと を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ,  H01L 23/00 ,  H01L 21/301
FI (5件)：
H01L21/02 A ,  H01L23/00 A ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 M ,  H01L21/02 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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