特許
J-GLOBAL ID：201203033169139594

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
美濃浦 優一

美濃浦 優一 について

, 
吉川 俊英

吉川 俊英 について

, 
多木 俊裕

多木 俊裕 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-040673
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178467
出願日： 2011年02月25日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：
【課題】バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。【解決手段】化合物半導体積層構造2の裏面から、化合物半導体積層構造2の少なくともバッファ層2aに不純物、例えばFe,C,B,Ti,Crのうちから選ばれた少なくとも1種類を導入し、バッファ層2aの抵抗値を高くする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
化合物半導体積層構造を備えており、 前記化合物半導体積層構造の少なくともバッファ層において局所的に、前記バッファ層の他の部位よりも抵抗値の高い領域が形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618G
Fターム (97件)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110BB12 ,  5F110DD04 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG36 ,  5F110GG42 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ14 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB12 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK09 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CB00 ,  5F140CB04 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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