特許
J-GLOBAL ID：201203033408841115

窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置

発明者：
村上 博紀

村上 博紀 について

, 
渡邉 要介

渡邉 要介 について

, 
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-237988
公開番号（公開出願番号）：特開2012-146955
出願日： 2011年10月28日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：
【課題】 極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜することが可能な窒化シリコン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】 被処理体の表面上に窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の成膜方法であって、窒化シリコン膜を被処理体の表面上に成膜する前に、少なくともアミノシラン系ガスを用いて、被処理体の表面上に窒化シリコン膜のシードとなるシード層を形成する(ステップ2〜4)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体の表面上に窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の成膜方法であって、 前記窒化シリコン膜を前記被処理体の表面上に成膜する前に、少なくともアミノシラン系ガスを用いて、前記被処理体の表面上に前記窒化シリコン膜のシードとなるシード層を形成することを特徴とする窒化シリコン膜の成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 B ,  C23C16/42
Fターム (27件)：
4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD10 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045EE19 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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