半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-152031
公開番号（公開出願番号）：特開2011-097017
出願日： 2010年07月02日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：

【課題】低温下であっても、高い成膜レートを維持しつつ、低コストで膜厚均一性の良好な絶縁膜を形成する。【解決手段】基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に所定元素を含む第1の原料ガスと所定元素を含む第2の原料ガスとを供給し排気することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に第1の原料ガスおよび第2の原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気することで、所定元素含有層を酸化層、窒化層または酸窒化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、第1の原料ガスは第2の原料ガスよりも反応性が高く、所定元素含有層を形成する工程では第1の原料ガスの供給量を第2の原料ガスの供給量よりも少なくする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板を処理容器内に搬入する工程と、前記処理容器内に所定元素を含む第1の原料ガスと前記所定元素を含む第2の原料ガスとを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内に前記第1の原料ガスおよび前記第2の原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を酸化層、窒化層または酸窒化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を前記処理容器内から搬出する工程と、を有し、前記第1の原料ガスは前記第2の原料ガスよりも反応性が高く、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記第1の原料ガスの供給量を、前記第2の原料ガスの供給量よりも少なくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/42 , C23C 16/44

FI (7件)：

H01L21/316 P , H01L21/318 B , H01L21/316 X , H01L21/318 C , H01L21/31 B , C23C16/42 , C23C16/44 A

Fターム (56件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA10 , 4K030BA22 , 4K030BA35 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA44 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045BB08 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EE12 , 5F045EE19 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BD15 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (9件)

低温シリコン化合物堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-530121 出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-103340 出願人：東京エレクトロン株式会社
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-242974 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

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