特許

J-GLOBAL ID：201203034086179914

半導体装置及びその作製方法

発明者： 井本 裕己 ,  淺野 裕治 ,  丸山 哲紀
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-252457
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129511
出願日： 2011年11月18日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】ノーマリーオフのトランジスタ、或いは当該トランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域として機能する第1の酸化物半導体層と、当該第1の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、当該第1の酸化物半導体層、当該ソース電極層、及び当該ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、当該ゲート絶縁層に接して当該第1の酸化物半導体層と重なる第2の酸化物半導体層と、当該第2の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層とを有する半導体装置及びその作製に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域として機能する第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、 前記第1の酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層に接して前記第1の酸化物半導体層と重なる第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (9件)：

H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L21/363 ,  H01L29/44 L ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 C

Fターム (88件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104CC05 ,  4M104DD28 ,  4M104DD38 ,  4M104DD40 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BC10 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103BB47 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103LL08 ,  5F103LL13 ,  5F103PP11 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 酸化物トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-130149   出願人：株式会社ブリヂストン
• 透明トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-213211   出願人：韓國電子通信研究院
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-273056   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-261878   出願人：キヤノン株式会社
• 結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-156253   出願人：出光興産株式会社