特許
J-GLOBAL ID：200903070738374308

ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
原田 裕次

原田 裕次 について

, 
武田 隆信

武田 隆信 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-090642
公開番号（公開出願番号）：特開2008-249951
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【解決手段】一般式(1)で表される共重合による繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物を含むネガ型レジスト材料。(R1は水素原子、フッ素原子、又はアルキル基又はフッ素化アルキル基、Xはメチレン基、酸素原子又は硫黄原子。mは1〜3の整数、nは1又は2、m+n=4。R2は水素原子又はメチル基、R3は水素原子、フッ素原子、又はアルキル基又はフッ素化アルキル基、p、qは1〜3の整数、p+t=5、q+u=7、0<(a-1)<1.0、0≦(b-1)<1.0、0≦(b-2)<1.0、0<(b-1)+(b-2)<1.0。)【効果】本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度、高解像性で、パターン形状が良好で、酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示し、超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料として好適である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される共重合による繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/038 ,  C08F 212/14 ,  C08F 232/08 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/038 601 ,  C08F212/14 ,  C08F232/08 ,  H01L21/30 502R
Fターム (30件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE07 ,  2H025CB08 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02R ,  4J100AB07P ,  4J100AR10Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  4J100JA46
引用特許：
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (9件)
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