特許
J-GLOBAL ID：200903054163665415

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法及び光ファイバー通信システム

発明者：
佐藤 俊一

佐藤 俊一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-101379
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222445
出願日： 2006年04月03日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】 GaAs基板上に形成された、V族にN(窒素)と他のV族を含む混晶半導体材料を活性層または井戸層とする半導体発光素子において、他のV族原料に比べて一般に供給量の多いNの原料を活性層または井戸層とバリア層の成長時に供給したり、供給を止めたりする必要が無くなり、例えば、気相成長の場合には界面の制御が容易になる。【解決手段】 GaAs基板上に形成された、V族にN(窒素)と他のV族を含む混晶半導体材料を活性層または井戸層とする半導体発光素子において、前記活性層または井戸層と直接接する半導体層のうちの少なくとも一層は、V族にNと他のV族を含む混晶半導体層からなる。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に形成された、V族にN(窒素)と他のV族を含む混晶半導体材料を活性層または井戸層とする半導体発光素子において、前記活性層または井戸層と直接接する半導体層のうちの少なくとも一層は、V族にNと他のV族を含む混晶半導体層からなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
H01L33/00 A ,  H01S5/343 610 ,  C23C16/34
Fターム (23件)：
4K030AA01 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F173AF04 ,  5F173AF15 ,  5F173AF36 ,  5F173AH04 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ14 ,  5F173AR23
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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