特許

J-GLOBAL ID：201203037294353269

III族窒化物半導体及びIII族窒化物半導体成長用基板

発明者： 鳥羽 隆一
出願人/特許権者： DOWAエレクトロニクス株式会社
代理人 (4件)： 萩原 康司 ,  金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  和田 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-052557
公開番号（公開出願番号）：特開2012-131705
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2012年07月12日
要約：

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能なIII族窒化物半導体を提供する。【解決手段】基板上にAlN単結晶層またはAlを含むIII族窒化物単結晶層を0.005μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はサファイア基板を窒化処理したAlNテンプレート基板、もしくはAlN単結晶基板上に、ストライプ状の開口部を有するパターンマスクと、前記開口部に形成された金属窒化物層と、前記金属窒化物層上に形成されたIII族窒化物半導体層を有し、前記III族窒化物半導体層は前記金属窒化物層を核としたELO成長による連続膜である、III族窒化物半導体。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にAlN単結晶層またはAlを含むIII族窒化物単結晶層を0.005μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はサファイア基板を窒化処理したAlNテンプレート基板、もしくはAlN単結晶基板上に、 ストライプ状の開口部を有するパターンマスクと、 前記開口部に形成された金属窒化物層と、 前記金属窒化物層上に形成されたIII族窒化物半導体層を有し、 前記III族窒化物半導体層は前記金属窒化物層を核としたELO成長による連続膜である、III族窒化物半導体。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/04

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/04

Fターム (18件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA01 ,  4G077TB03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11

引用特許：

出願人引用 (4件)

• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-193733   出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-064345   出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• 窒化アルミニウム薄膜及びそれを用いた圧電薄膜共振子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-106549   出願人：宇部興産株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088294   出願人：日立電線株式会社, 日本電気株式会社