特許
J-GLOBAL ID：201203037876415439
ヒートシンク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 岩永 勇二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
, 野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-034660
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174856
出願日： 2011年02月21日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：
【課題】高い冷却性能を有し、外層を半導体素子に電圧を印加するための電極を兼ねた構成とすることができるヒートシンク及びその製造方法を提供する。【解決手段】ヒートシンク100は、冷媒循環用の流路9aに設けられる積層体12を備え、積層体12は、金属から形成され、内側が流路9aとなる管体9と、管体9の外側に形成された絶縁層10と、絶縁層10の外側に形成され、表面に冷却対象の半導体素子1の電極、例えばエミッタ電極1bが接合される接合面である上面11aを有する導体11とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
冷媒循環用の流路に設けられる積層体を備え、
前記積層体は、金属から形成され、内側が前記流路となる管体と、
前記管体の外側に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の外側に形成され、表面に冷却対象の半導体素子の電極が接合される接合面を有する導体と、
を備えたヒートシンク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F136CB07
, 5F136CB13
, 5F136CB18
, 5F136DA34
, 5F136EA14
, 5F136FA03
, 5F136FA12
, 5F136GA40
