特許
J-GLOBAL ID：201203038987823850

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
今田 忠紘

今田 忠紘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-040617
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178464
出願日： 2011年02月25日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：
【課題】ゲート電極の電界集中を緩和して耐圧の更なる向上を実現することに加え、デバイス動作速度を向上させ、アバランシェ耐量が大きく、サージに対して強く、例えばインバータ回路等に適用する場合に外部のダイオードを接続することを要せず、ホールが発生しても安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。【解決手段】化合物半導体積層構造2に形成された電極用リセス2Cを、ゲート絶縁膜6を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極7を形成すると共に、化合物半導体積層構造2に形成されたフィールドプレート用リセス2Dをp型半導体で埋め込み、化合物半導体積層構造2とp型半導体層8aで接触するフィールドプレート8を形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
化合物半導体積層構造と、 前記化合物半導体積層構造の上方に形成されたゲート電極と、 前記化合物半導体積層構造の上方に形成された、前記化合物半導体積層構造の有する導電型と逆導電型の半導体層と を含むことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (7件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 G ,  H01L29/80 P ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 301B ,  H01L27/04 H
Fターム (96件)：
5F038BE07 ,  5F038BG04 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CD16 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA01 ,  5F102FA06 ,  5F102FA10 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR09 ,  5F102GR11 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC19 ,  5F110AA11 ,  5F110AA22 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG04 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN61 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA31 ,  5F140AC36 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BH07 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK38 ,  5F140CB00 ,  5F140CB04 ,  5F140CC08 ,  5F140CD08 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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