特許
J-GLOBAL ID：201003015252386592

半導体装置

発明者：
町田 修

町田 修 について

, 
岩渕 昭夫

岩渕 昭夫 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-325409
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147387
出願日： 2008年12月22日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】高電圧に耐性を有し、高電圧で使用した場合であってもゲート構造が破壊されることがない信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体領域3と、半導体領域3の主面上に設けられたソース電極40及びドレイン電極44と、半導体領域3の主面上に設けられたp型材料膜60aを介して設けられ、ソース電極40とドレイン電極44との間に配置されたノーマリオフ特性を示すゲート電極42と、半導体領域3の主面上に設けられ、ゲート電極42とドレイン電極44との間に配置された第4電極50とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体領域と、 前記半導体領域の主面上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、 前記半導体領域の主面上に設けられたp型材料膜を介して設けられ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたノーマリオフ特性を示すゲート電極と、 前記半導体領域の主面上に設けられ、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に配置された第4電極 とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/80 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (3件)：
H01L29/80 W ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 C
Fターム (18件)：
5F102FA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • トランジスタ及びその動作方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-200127   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-209298   出願人：株式会社東芝
  • 国際公開第2003/71607号パンフレット
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審査官引用 (7件)
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