特許
J-GLOBAL ID：201203042405187243

半導体チップの製造方法

発明者：
石貫 法文

石貫 法文 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-262400
公開番号（公開出願番号）：特開2012-114270
出願日： 2010年11月25日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：
【課題】本発明は、メインパターン領域内にマーク類を形成することなく、N×Nショットのサイズの半導体チップを製造することが可能な、半導体チップの製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、チップ領域5の寸法がイメージフィールドよりも大きい半導体チップの製造方法であって、(a)メインパターン5aを形成するメインマスク1と、周辺パターン5bの中でメインパターン5aの上下に位置する部分を形成する上下マスク2と、周辺パターン5bの中でメインパターン5aの左右に位置する部分を形成する左右マスク3と、周辺パターン5bの中でメインパターン5aの角部に位置する部分を形成する隅マスク4を準備する工程と、(b)メインマスク1、上下マスク2、左右マスク3、隅マスク4を組み合わせてチップ領域5を含むショット配列を形成する工程と、(c)当該ショット配列に従いマスク毎に露光する工程とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
矩形のメインパターンと前記メインパターンを囲う周辺パターンとで構成されるチップ領域を備え、前記チップ領域の寸法が露光装置のイメージフィールドの寸法よりも大きい半導体チップの製造方法であって、 (a)前記メインパターンを形成するメインマスクと、前記周辺パターンの中で、前記メインパターンの上下に位置する部分を形成する上下マスクと、前記周辺パターンの中で、前記メインパターンの左右に位置する部分を形成する左右マスクと、前記周辺パターンの中で、前記メインパターンの角部に位置する部分を形成する隅マスクを準備する工程と、 (b)前記メインマスク、前記上下マスク、前記左右マスク、前記隅マスクを組み合わせて前記チップ領域を含むショット配列を形成する工程と、 (c)前記ショット配列に従い、前記マスク毎に露光する工程と を備える半導体チップの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G03F 1/38
FI (7件)：
H01L21/30 514C ,  H01L21/30 502V ,  H01L21/30 502C ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 523 ,  G03F1/08 M ,  H01L21/30 516B
Fターム (21件)：
2H095BE03 ,  2H095BE08 ,  2H097AA11 ,  2H097AA12 ,  2H097LA10 ,  5F046AA11 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17 ,  5F046CC14 ,  5F046EB01 ,  5F046EB05 ,  5F146AA11 ,  5F146AA25 ,  5F146BA03 ,  5F146CB05 ,  5F146CB17 ,  5F146CC14 ,  5F146EB01 ,  5F146EB05
引用特許：
審査官引用 (9件)
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