特許
J-GLOBAL ID：201203042419633920

半導体装置の製造方法

発明者：
増田 健良

増田 健良 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-050928
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190865
出願日： 2011年03月09日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【課題】炭化珪素からなる基板の活性化アニールにおける表面荒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】MOSFETの製造方法は、炭化珪素からなるエピタキシャル成長層付き基板8を準備する工程と、エピタキシャル成長層付き基板8にイオン注入を実施する工程と、イオン注入が実施されたエピタキシャル成長層付き基板8上に二酸化珪素からなる保護膜80を形成する工程と、保護膜80が形成されたエピタキシャル成長層付き基板8を、酸素原子を含むガスを含有する雰囲気中において1600°C以上の温度域に加熱する工程とを備えている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる基板を準備する工程と、 前記基板にイオン注入を実施する工程と、 前記イオン注入が実施された前記基板上に二酸化珪素からなる保護膜を形成する工程と、 前記保護膜が形成された前記基板を、酸素原子を含むガスを含有する雰囲気中において1600°C以上の温度域に加熱する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12
FI (6件)：
H01L21/265 Z ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652M ,  H01L21/265 602A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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