特許
J-GLOBAL ID：200903072572994747
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120165
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314071
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 SiCにおいて、不純物の活性化のための熱処理による表面荒れと組成比異常を抑制する。【解決手段】 n-型エピ層2にソース領域4、ドレイン領域5を形成するためのp型不純物のイオン注入を行う前あるいは後、n-型エピ層2の上にキャップ層としてシリコン酸化膜6を成膜する。そして、シリコン酸化膜6によってn-型エピ層2、ソース領域4及びドレイン領域5を覆った状態で活性化のための熱処理を行う。このように、シリコン酸化膜6からなるキャップ層を用いれば、高温でも有効にキャップ層としての役割を果たし、不純物の活性化のための熱処理による表面荒れと組成比異常を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体(2)にイオン注入を行ったのち、熱処理を施すことで前記注入されたイオンを活性化させ、不純物層(4、5)を形成する不純物層形成工程を含んだ炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記不純物層形成工程では、前記炭化珪素半導体にシリコン酸化膜からなるキャップ層(6)を配置したのち、該キャップ層によって前記不純物層の表面を覆った状態で前記活性化を行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 29/78 652
, H01L 21/265 602
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 T
, H01L 21/265 602 A
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 658 A
5F140AA00
, 5F140AA08
, 5F140AC23
, 5F140BA02
, 5F140BA17
, 5F140BE03
, 5F140BH21
, 5F140BK13
, 5F140BK19
, 5F140BK21
