特許
J-GLOBAL ID:201203045072743118
低誘電率膜の前駆体組成物及びこれを用いた低誘電率膜の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (4件):
木村 満
, 末次 渉
, 鶴 寛
, 毛受 隆典
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-251350
公開番号(公開出願番号):特開2012-104616
出願日: 2010年11月09日
公開日(公表日): 2012年05月31日
要約:
【課題】紫外線が照射されても疎水性の低下が抑えられ、誘電率の上昇が抑制された低誘電率膜を製造するための低誘電率膜の前駆体組成物、及び、低誘電率膜の製造方法を提供する。【解決手段】低誘電率膜の前駆体組成物は、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジエトキシジシラン、ジメトキシジシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン及びジメチルメトキシシランから選択される一種以上の化合物と、式:(RO)3-Si-X-Si-(RO)3(ROはアルコキシ基、Xは有機架橋基であってメチレン基、エチレン基、ビニレン基、1,4-フェニレン基から選択される)で表される化合物、式:Si(OR)4(Rは一価の有機基)で表される化合物、環状シロキサン、二重環状シロキサン及びゼオライト微結晶から選択される一種以上の物質と、熱分解性化合物と、アルコキシシラン加水分解触媒と、を含有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジエトキシジシラン、ジメトキシジシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン及びジメチルメトキシシランから選択される一種以上の化合物と、
式:(RO)3-Si-X-Si-(RO)3(ROはアルコキシ基、Xは有機架橋基であってメチレン基、エチレン基、ビニレン基、1,4-フェニレン基から選択される)で表される化合物、式:Si(OR)4(Rは一価の有機基)で表される化合物、環状シロキサン、二重環状シロキサン及びゼオライト微結晶から選択される一種以上の物質と、
熱分解性化合物と、
アルコキシシラン加水分解触媒と、
を含有することを特徴とする、低誘電率膜の前駆体組成物。
IPC (9件):
H01L 21/316
, C08G 77/02
, C08L 83/02
, C08L 71/00
, B01J 27/10
, C09D 5/25
, C09D 183/04
, C09D 7/12
, C09D 183/02
FI (9件):
H01L21/316 G
, C08G77/02
, C08L83/02
, C08L71/00 Y
, B01J27/10 M
, C09D5/25
, C09D183/04
, C09D7/12
, C09D183/02
Fターム (58件):
4G169AA06
, 4G169BA42A
, 4G169BB01A
, 4G169BB08A
, 4G169BD12A
, 4G169BD12B
, 4G169CB35
, 4G169CB61
, 4G169FC07
, 4J002CH022
, 4J002CP021
, 4J002FD202
, 4J002FD312
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038JC30
, 4J038KA09
, 4J038NA21
, 4J038PA17
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J246AA02
, 4J246AA18
, 4J246AB15
, 4J246BA370
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246BB022
, 4J246BB140
, 4J246BB141
, 4J246BB200
, 4J246BB201
, 4J246CA24E
, 4J246CA240
, 4J246CA248
, 4J246FA131
, 4J246FA271
, 4J246FA291
, 4J246FA321
, 4J246FA331
, 4J246FA461
, 4J246FA651
, 4J246FA661
, 4J246FB051
, 4J246FE02
, 4J246GB05
, 4J246GB09
, 4J246GB15
, 4J246GC52
, 4J246GD09
, 4J246HA63
, 5F058BF23
, 5F058BF27
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BH17
引用特許:
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