特許
J-GLOBAL ID：201003010609681812

組成物及びその製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜

発明者：
高村 一夫

高村 一夫 について

, 
田中 博文

田中 博文 について


出願人/特許権者：
三井化学株式会社

三井化学株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-280942
公開番号（公開出願番号）：特開2010-090389
出願日： 2009年12月10日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：
【課題】低い比誘電率と高い機械的強度とを併せ持つ多孔質材料を製造でき、かつ保存安定性にすぐれる組成物及びその製造方法を提供する。【解決手段】アルコキシシラン化合物の加水分解物と、一般式(1)で表されるシロキサン化合物の加水分解物と、界面活性剤と、電気陰性度が2.5以下の元素と、を含む組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、アルコキシシラン化合物、触媒、及び有機溶媒を、20°C〜70°Cで0.5時間〜7時間混合する工程と、 前記混合により得られた混合物に、界面活性剤を添加する工程と、 前記界面活性剤が添加された混合物を、質量が10%〜50%となるまで濃縮する工程と、 濃縮された混合物を、有機溶媒で希釈する工程と、 希釈された混合物に、電気陰性度が2.5以下である元素を添加する工程と、 前記元素が添加された混合物に、下記一般式(1)で表されるシロキサン化合物を添加する工程と、 を有する組成物の製造方法。
IPC (5件)：
C08L 83/04 ,  C08G 77/06 ,  C08K 3/00 ,  C08J 9/26 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
C08L83/04 ,  C08G77/06 ,  C08K3/00 ,  C08J9/26 ,  H01L21/316 G
Fターム (33件)：
4F074AA76 ,  4F074AA90 ,  4F074AC28 ,  4F074AH03 ,  4F074CB16 ,  4F074CB17 ,  4F074CC04X ,  4F074CC04Y ,  4F074CC50Y ,  4F074DA47 ,  4J002CH053 ,  4J002CP03W ,  4J002CP03X ,  4J002DF036 ,  4J002FD313 ,  4J002FD317 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA04 ,  4J246AA03 ,  4J246BA25X ,  4J246BA250 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246FA29 ,  4J246FA57 ,  4J246FC12 ,  4J246HA63 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (9件)
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