特許
J-GLOBAL ID：201003010438967496

誘電体層形成用塗布液及びその製造方法

発明者：
大 竹 政 雄

大 竹 政 雄 について

, 
野 々 村 務

野 々 村 務 について

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廣 田 幸 児

廣 田 幸 児 について


出願人/特許権者：
ラサ工業株式会社

ラサ工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-308344
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135470
出願日： 2008年12月03日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】 成膜温度が120°C〜200°Cでリーク電流値が10-8A/cm2以下の塗布膜が形成できるとともに、高誘電体膜との積層により低リーク電流及び高比誘電率がシリコン窒化膜と同等以上の特性が得られる誘電体層形成用塗布液及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の誘電体層形成用塗布液は、一般式Si(OR1)a、及びR2bSi(OR3)cで表されるSiアルコキシド、これらの部分加水分解物及び縮合物から選ばれる一種以上のSiアルコキシド誘導体を主成分として有機溶剤に溶解してなる。ここで、R1及びR3はそれぞれ独立に炭素数1〜8のアルキル基であり、R2は炭素数2以上の置換基である。aはSiの価数であり、b、cはそれぞれ1以上の整数でb+cがSiの価数である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
一般式Si(OR1)a、及びR2bSi(OR3)cで表されるSiアルコキシド、これらの部分加水分解物及び縮合物から選ばれる一種以上のSiアルコキシド誘導体を主成分として有機溶剤に溶解してなることを特徴とする誘電体層形成用塗布液。 (ここで、R1及びR3はそれぞれ独立に炭素数1〜8のアルキル基であり、R2は炭素数2以上の置換基である。aはSiの価数であり、b、cはそれぞれ1以上の整数でb+cがSiの価数である。)
IPC (2件)：
H01L 21/312 ,  C08G 77/04
FI (2件)：
H01L21/312 C ,  C08G77/04
Fターム (29件)：
4J246AA03 ,  4J246AA19 ,  4J246AB14 ,  4J246BA26X ,  4J246BA260 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB021 ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA249 ,  4J246CA26X ,  4J246CA260 ,  4J246CA269 ,  4J246FA011 ,  4J246FA071 ,  4J246FA131 ,  4J246FA421 ,  4J246GC53 ,  4J246GD08 ,  4J246HA65 ,  5F058AA02 ,  5F058AA07 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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