特許
J-GLOBAL ID：201203045226943816

低温ウエハ接合によって作製されるモノリシック集積型CMUT

発明者：
クプニック、マリオ

クプニック、マリオ について

, 
キューリヤクブ、ブトロス・ティー

キューリヤクブ、ブトロス・ティー について


出願人/特許権者：
ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ

ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ について


代理人 (1件)： 特許業務法人 大島特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-552951
公開番号（公開出願番号）：特表2012-519958
出願日： 2010年03月05日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：
【課題】CMUTウエハ接合プロセスにおいて、接合されるウエハ上の集積回路が高温で破壊されることを防止する。【解決手段】能動電気デバイスを既に含むウエハ上にCMUTを作製するために、低温ウエハ接合(450°Cまたはそれ以下の温度)が用いられる。結果として得られる構造は、低温ウエハ接合法により能動エレクトロニクスと一体化されたCMUTアレイである。低温法を用いることにより、CMUT作製中にエレクトロニクスが保護される。この手法を用いれば、犠牲層除去による作製手法によくあるように、CMUTまたはエレクトロニクス設計において妥協する必要がない。犠牲層除去手法の様々な欠点は、本発明の手法により回避できる。この手法を用いれば、CMUTアレイに、基板集積回路に接続されたセル毎の電極を提供することができる。これにより、CMUTアレイ素子へのCMUTセルの電子的割当を十分に柔軟に行うことが可能になる。【選択図】図1b
請求項（抜粋）：
マイクロマシン技術を用いた静電容量型超音波トランスデューサ(CMUT)アレイであって、 1若しくは複数の能動電気デバイスを含む集積回路(IC)基板と、 前記CMUTアレイの各トランスデューサ素子のためのメンブレンを含むCMUTメンブレン層とを含み、 前記IC基板と前記CMUTメンブレン層とが、前記基板に前記能動電気デバイスが配置された後に低温ウエハ接合法によって貼り合わされたものであることを特徴とするCMUTアレイ。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H04R 19/00
FI (2件)：
H01L21/02 B ,  H04R19/00 330
Fターム (1件)：
5D019DD01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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