特許
J-GLOBAL ID：201203045752737953

プログラマブルLSI

発明者：
黒川 義元

黒川 義元 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-019578
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186797
出願日： 2012年02月01日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：
【課題】低消費電力で、且つ、動的コンフィギュレーションにも対応できる高速なコンフィギュレーションを可能とし、起動するための時間が短いプログラマブルLSIを提供する。【解決手段】複数のロジックエレメントと、複数のロジックエレメントに入力するためのコンフィギュレーションデータを記憶するメモリエレメントと、を有し、複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリを有し、コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、異なる演算処理を行い、且つ、ロジックエレメント間の電気的接続を変更し、メモリエレメントは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、当該トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなるノードと、を有する記憶素子を用いて構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のロジックエレメントと、前記複数のロジックエレメントに入力するためのコンフィギュレーションデータを記憶するメモリエレメントと、を有し、 前記複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリを有し、 前記メモリエレメントに記憶された前記コンフィギュレーションデータの少なくとも一部は、前記コンフィギュレーションメモリに入力されて記憶され、 前記複数のロジックエレメントそれぞれは、前記コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、異なる演算処理を行い、且つ、ロジックエレメント間の電気的接続を変更し、 前記メモリエレメントは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、当該トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなるノードと、を有する記憶素子を用いて構成することを特徴とするプログラマブルLSI。
IPC (3件)：
H03K 19/177 ,  H01L 21/82 ,  G11C 11/405
FI (4件)：
H03K19/177 ,  H01L21/82 A ,  H01L21/82 S ,  G11C11/34 352B
Fターム (26件)：
5F064BB02 ,  5F064BB12 ,  5F064BB23 ,  5F064CC06 ,  5F064CC23 ,  5F064FF04 ,  5F064FF36 ,  5F064GG05 ,  5F064GG07 ,  5J042BA01 ,  5J042BA04 ,  5J042CA13 ,  5J042CA14 ,  5J042CA20 ,  5J042DA02 ,  5J042DA03 ,  5J042DA04 ,  5M024AA04 ,  5M024BB02 ,  5M024CC02 ,  5M024CC62 ,  5M024DD26 ,  5M024DD29 ,  5M024KK38 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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