特許
J-GLOBAL ID：201203046898959679
基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-081466
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033871
出願日： 2011年04月01日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】本発明の目的は、装置の小型化を図りつつ加熱装置の寿命を長くし、炉内温度を迅速に低下させてスループットを向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置を提供することにある。【解決手段】筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、
該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、
前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、
前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、
を有する基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, H01L 21/324
, H01L 21/22
, C23C 16/455
H01L21/31 E
, H01L21/324 W
, H01L21/22 511A
, C23C16/455
4K030KA04
, 4K030KA23
, 4K030KA26
, 4K030LA15
, 5F045AA20
, 5F045BB08
, 5F045DP19
, 5F045EJ04
, 5F045EJ10
, 5F045EK06
, 5F045EK24
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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