電界効果トランジスタおよびそれを用いたメモリおよび半導体回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-067049
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216802
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：

【課題】微細化した半導体集積回路において用いられる、オフ電流の小さな電界効果トランジスタ(FET)を提供する。【解決手段】絶縁表面に略垂直に形成された厚さが1nm以上30nm以下の薄片状の酸化物半導体と、前記酸化物半導体を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を覆って形成されたストライプ状の幅10nm以上100nm以下のゲートを有する電界効果トランジスタ。この構成では、薄片状の酸化物半導体の三方の面をゲートが覆うこととなるため、ソース、ドレインから注入される電子を効率的に排除し、ソースとドレインの間をほぼ空乏化領域とでき、オフ電流を低減できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面に略垂直に形成された厚さが1nm以上30nm以下で高さが最小加工線幅の1倍以上の薄片状の酸化物半導体と、前記酸化物半導体を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を覆って形成されたストライプ状の幅10nm以上100nm以下のゲートを有する電界効果トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/336

FI (10件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 618B , H01L29/78 613B , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , H01L27/10 621Z , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z , H01L29/78 371 , H01L29/78 617K

Fターム (79件)：

5F083AD01 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083AD69 , 5F083EP03 , 5F083EP23 , 5F083EP53 , 5F083GA06 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083PR33 , 5F101BA12 , 5F101BA17 , 5F101BA19 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BH16 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110BB05 , 5F110CC10 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227633 出願人：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-038252 出願人：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-158360 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (5件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227633 出願人：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-038252 出願人：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-158360 出願人：株式会社日立製作所

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