特許
J-GLOBAL ID：201203051829960294
窒化物半導体発光素子および半導体光学装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 酒本 裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-004714
公開番号（公開出願番号）：特開2012-146847
出願日： 2011年01月13日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：
【課題】横方向の電流拡がりを向上させることにより、発光領域が大きな窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】この窒化物半導体発光素子は、n側窒化物半導体20と、n側窒化物半導体20上に形成され、量子井戸層32および障壁層31を含む量子井戸構造を有する活性層30と、活性層30上に形成されたp側窒化物半導体40とを備えている。また、活性層30の量子井戸層32および障壁層31は、それぞれ、Alを含む窒化物半導体から構成されている。n側窒化物半導体20は、-c面(窒素極性)を主面21aとする窒化物半導体層21と、この窒化物半導体層21に対して活性層30側に形成されたAl組成傾斜層22とを含んで構成されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する第1半導体部と、
前記第1半導体部上に形成され、量子井戸層および障壁層を含む量子井戸構造を有する活性層と、
前記活性層上に形成され、第2導電型を有する第2半導体部とを備え、
前記活性層の前記量子井戸層および前記障壁層は、それぞれ、Alを含む窒化物半導体から構成されており、
前記第1半導体部は、無極性面以外の面を主面とする第1窒化物半導体層と、前記第1窒化物半導体層に対して前記活性層側に形成されるとともに、Alを含む窒化物半導体から構成され、かつ、そのAl組成が傾斜した第1組成傾斜層とを含み、
前記第1組成傾斜層は、前記活性層に向かって、そのAl組成が増加しないように構成されており、かつ、前記第1組成傾斜層の下部のAl組成が、前記第1組成傾斜層の下部側で隣接する層のAl組成以下であるとともに、前記第1組成傾斜層の上部のAl組成が、前記第1組成傾斜層の上部側で隣接する層のAl組成以上であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F041AA21
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA60
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB36
, 5F141AA21
, 5F141AA40
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA60
, 5F141CA65
, 5F141CA74
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