特許

J-GLOBAL ID：201203052547953372

半導体装置

発明者： 江口 浩次
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-188570
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049258
出願日： 2010年08月25日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】サージ耐量を大きくすることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】複数のフィールドプレート17b〜17eをセル部の輪郭に沿う平行方向を長手方向としてセル部から外周耐圧部の外周側に向かって複数本並べられて配置された平行部30と、該平行部30それぞれから斜め方向に延設された連結部33とを有した構成とし、平行部30と連結部33とが交互に接続されることにより、一方向に向かって階段状に形成された構造とする。そして、平行部30には、ツェナーダイオードが逆方向に直列接続されたツェナーダイオード対を複数段形成したツェナーダイオード群18a〜18eを備え、複数本並べられて配置された平行部30それぞれに備えられたツェナーダイオード対の段数がセル部に近い側からセル部の外周に向かって増やされるようにする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)に、半導体素子が形成されたセル部(A)と、該セル部の外周に配置された外周耐圧部(B)とを備えてなる半導体装置において、 前記外周耐圧部には、前記半導体基板と電気的に接続されている最外周側のプレート(17g)と、前記セル部に形成されたゲート電極(7)と電気的に接続されている最内周側のプレート(17a)とを含む導電性の複数のフィールドプレート(17)が形成されており、 前記複数のフィールドプレートは、前記セル部の輪郭に沿う平行方向を長手方向として前記セル部から前記外周耐圧部の外周側に向かって複数本並べられて配置された平行部(30)と、該平行部それぞれから斜め方向に延設された連結部(33)とを有し、前記平行部と前記連結部とが交互に接続されることにより、一方向に向かって階段状に形成されており、 前記平行部には、ツェナーダイオードが逆方向に直列接続されたツェナーダイオード対を複数段形成したツェナーダイオード群(18a〜18e)が備えられ、複数本並べられて配置された前記平行部それぞれに備えられた前記ツェナーダイオード対の段数は、前記セル部に近い側から該セル部の外周に向かって増やされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/866

FI (7件)：

H01L29/78 657C ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/06 301F ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/06 311B ,  H01L29/90 D

Fターム (16件)：

5F048AA02 ,  5F048AA05 ,  5F048BA05 ,  5F048BB05 ,  5F048BC03 ,  5F048BC07 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BE09 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07 ,  5F048CC06 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18 ,  5F048CC19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• イグナイタ用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-357160   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-374254   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-380884   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-049598   出願人：株式会社日立製作所