特許

J-GLOBAL ID：200903011165697453

イグナイタ用半導体装置

発明者： 石井 憲一 ,  藤平 龍彦
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-357160
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165424
出願日： 2005年12月12日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【目的】低オン電圧特性と低スイッチング損失特性と、イグナイタ用回路に少なくとも必要な逆耐圧特性と、高サージ電圧耐量とを備えるイグナイタ用半導体装置の提供。【構成】一導電型の半導体基板に、該半導体基板の一方の主面と他方の主面とを繋ぐ他導電型の分離拡散領域と、該分離拡散領域に取り囲まれた前記一方の主面にMOSゲート構造と該MOSゲート構造を取り囲む耐圧構造部とを備え、他方の主面には、露出する前記分離拡散領域に同電位接続される他導電型コレクタ領域と、該コレクタ領域の前記半導体基板側に接する一導電型フィールドストップ層を備えるイグナイタ用半導体装置とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板に、該半導体基板の一方の主面と他方の主面とを繋ぐ他導電型の分離拡散領域と、該分離拡散領域に取り囲まれた前記一方の主面にMOSゲート構造と該MOSゲート構造を取り囲む耐圧構造部とを備え、他方の主面には、露出する前記分離拡散領域に同電位接続される他導電型コレクタ領域と、該コレクタ領域の前記半導体基板側に接する一導電型フィールドストップ層を備えることを特徴とするイグナイタ用半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

H01L29/78 655D ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 657A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 内燃機関点火用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-121222   出願人：富士電機株式会社
• 点火用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-210910   出願人：富士電機株式会社
• 内燃機関点火装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-339287   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
• 半導体装置とその製造方法およびその半導体装置を用いた双方向スイッチ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-235001   出願人：富士電機ホールディングス株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平4-192366
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-124560   出願人：富士電機株式会社
• MOS型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-066757   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-049598   出願人：株式会社日立製作所