特許
J-GLOBAL ID：201203055319080597

パターン形成方法

発明者：
小林 知洋

小林 知洋 について

, 
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
永田 岳志

永田 岳志 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-101101
公開番号（公開出願番号）：特開2012-233968
出願日： 2011年04月28日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
要約：
【解決手段】ベース樹脂として、特定の開環メタセシス重合体水素添加物[A]と、特定の(メタ)アクリル酸エステル樹脂[B]とを含有するレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、また、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す。このレジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことにより、微細トレンチパターンやホールパターンのマスク寸法忠実性や露光ショット内寸法均一性を向上させると共に、高い耐ドライエッチング性を発揮することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ベース樹脂として、下記一般式[1]で表される開環メタセシス重合体水素添加物[A]と、下記一般式[3]で表される(メタ)アクリル酸エステル樹脂[B]とを含有し、更に酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、 塗布後加熱処理(ポストアプライドベーク)をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、 露光後加熱処理(ポストエクスポージャーベーク)を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R
Fターム (55件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF30P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AK21 ,  2H125AK22 ,  2H125AK24 ,  2H125AK26 ,  2H125AK27 ,  2H125AK29 ,  2H125AK30 ,  2H125AM22N ,  2H125AM22P ,  2H125AM66P ,  2H125AM91N ,  2H125AM91P ,  2H125AM94N ,  2H125AM94P ,  2H125AM99N ,  2H125AM99P ,  2H125AN11N ,  2H125AN31N ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01N ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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