特許
J-GLOBAL ID：200903067367678367

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
原田 裕次

原田 裕次 について

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畠山 潤

畠山 潤 について

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前田 和規

前田 和規 について

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長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

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品地 敏

品地 敏 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-124476
公開番号（公開出願番号）：特開2009-276363
出願日： 2008年05月12日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【解決手段】一般式(1a)、(1b)、(2a)及び(2b)で表される繰り返し単位から構成される高分子化合物(PA)を含むレジスト材料。【効果】高分子化合物(PA)を用いたレジスト材料は液浸リソグラフィーにおける撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少ない良好なリソグラフィー性能を実現することができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1a)及び(2a)で表される繰り返し単位を必須単位として構成される高分子化合物(P1)、(B)ラクトン環と水酸基のいずれか一方又は双方を有する骨格及び/又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(C)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(D)有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (5件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/10
FI (5件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/10
Fターム (52件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11S ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03S ,  4J100BA15Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB07R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18S ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03S ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04S ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA37 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (19件)
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審査官引用 (6件)
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