特許
J-GLOBAL ID:201203055521350350

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田下 明人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-121177
公開番号(公開出願番号):特開2012-248774
出願日: 2011年05月31日
公開日(公表日): 2012年12月13日
要約:
【課題】回路基板及びリードフレームの放熱性を高め、且つ装置全体の大型化を効果的に抑制し得る構成を提供する。【解決手段】半導体装置1は、電子部品8が実装される回路基板9と、回路基板9の一部と電気的に接合されると共に、ヒートシンク2に接合されるリードフレーム5と、ヒートシンク2、及びリードフレーム5を一体的に封止するモールド樹脂7とを備えている。そして、ヒートシンク2の第1の接合面2aが回路基板9の一方面に接合され、第2の接合面2bがリードフレーム5に接合されており、リードフレーム5が第2の接合面2bに接合されてなる接合部20と回路基板9とが回路基板9の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電子部品が実装されてなる回路基板と、 前記回路基板の一方面に対向する第1の接合面と、前記第1の接合面とは異なる第2の接合面とを備えたヒートシンクと、 前記回路基板の一部と電気的に接合されると共に、前記ヒートシンクに接合されるリードフレームと、 前記回路基板、前記ヒートシンク、及び前記リードフレームを一体的に封止するモールド樹脂と、 を備え、 前記ヒートシンクの前記第1の接合面が前記回路基板の一方面に接合され、前記第2の接合面が前記リードフレームに接合されており、 前記リードフレームが前記第2の接合面に接合されてなる接合部と、前記回路基板とが、前記回路基板の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/34 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件):
H01L23/34 A ,  H01L25/04 C
Fターム (9件):
5F136BA30 ,  5F136BB13 ,  5F136DA05 ,  5F136DA07 ,  5F136DA08 ,  5F136FA12 ,  5F136FA17 ,  5F136FA22 ,  5F136FA51
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 特開昭61-260647
  • 電子制御装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2006-261320   出願人:株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-034506   出願人:三菱電機株式会社
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