特許
J-GLOBAL ID：201203055866532303

光電場増強デバイスの製造方法

発明者：
山添 昇吾

山添 昇吾 について

, 
納谷 昌之

納谷 昌之 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-077868
公開番号（公開出願番号）：特開2012-211839
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
要約：
【課題】ラマン散乱光を高い感度で検出し得る光電場増強デバイスを容易、かつ低コストに製造する。【解決手段】基板11上に第1の金属または金属酸化物から成る薄膜20を形成し、この基板11上に形成された薄膜20を水熱反応させることにより、第1の金属または金属酸化物の水酸化物からなる微細凹凸構造層22を形成し、その後、微細凹凸構造層22の表面に、第2の金属から成る金属微細凹凸構造層24を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に第1の金属または金属酸化物から成る薄膜を形成する薄膜形成工程と、 前記基板上に形成された薄膜を水熱反応させることにより、前記第1の金属または前記金属酸化物の水酸化物からなる微細凹凸構造層を形成する微細凹凸構造層作製工程と、 該微細凹凸構造層の表面に、第2の金属から成る金属微細凹凸構造層を形成する金属層作製工程とを含むことを特徴とする光電場増強デバイスの製造方法。
IPC (5件)：
G01N 21/65 ,  G01N 21/27 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 40/00 ,  C23C 28/00
FI (5件)：
G01N21/65 ,  G01N21/27 C ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C28/00 B
Fターム (31件)：
2G043AA01 ,  2G043BA14 ,  2G043CA03 ,  2G043EA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB05 ,  2G043HA01 ,  2G043JA01 ,  2G043KA02 ,  2G043LA01 ,  2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059CC12 ,  2G059EE03 ,  2G059GG01 ,  2G059HH02 ,  2G059JJ01 ,  4K044AA12 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BA13 ,  4K044BB02 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BB11 ,  4K044CA13 ,  4K044CA16 ,  4K044CA17 ,  4K044CA53
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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