特許
J-GLOBAL ID：201203056657462892

半導体装置およびその製造方法

発明者：
岡田 政也

岡田 政也 について

, 
木山 誠

木山 誠 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 特許業務法人ハートクラスタ ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-072849
公開番号（公開出願番号）：特開2012-209374
出願日： 2011年03月29日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
要約：
【課題】 高周波特性を確保し、サイズを小型化し、かつ製造が容易な、正孔の蓄積を解消できる、耐圧性に優れた、半導体装置等を提供する。【解決手段】 ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET:Hetero-junction Field Effect Transistor)であって、非導電性基板1上に位置する、チャネルとなる二次元電子ガス(2DEG:2 Dimensional Electron Gas)を形成する再成長層7(5,6)と、再成長層に接して位置する、ソース電極11、ゲート電極13およびドレイン電極15を備え、ソース電極11が、ゲート電極13に比べて、非導電性基板1から遠い位置に位置することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET:Hetero-junction Field Effect Transistor)であって、 非導電性基板上に位置する、チャネルとなる二次元電子ガス(2DEG:2 Dimensional Electron Gas)を形成するための再成長層と、 前記再成長層に接して位置する、ソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を備え、 前記ソース電極が、前記ゲート電極に比べて、前記非導電性基板から遠い位置に位置することを特徴とする、半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (7件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 L ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618E ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L
Fターム (71件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD83 ,  4M104FF03 ,  4M104FF04 ,  4M104FF07 ,  4M104FF11 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH14 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GB05 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR11 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS01 ,  5F102GS09 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F110AA01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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