特許

J-GLOBAL ID：201203056798624578

配線基板及び配線基板の製造方法

発明者： 金子 健太郎 ,  青木 利晃 ,  伝田 浩己
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-048021
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186296
出願日： 2011年03月04日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】耐落下衝撃性の低下を抑制しつつも、パッド表面の酸化等を抑制することのできる配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板は、配線層21と絶縁層20が積層され、配線層21に接続され且つ最外層の第1絶縁層20の第1主面20Aから露出されるパッドP1が形成されている。このパッドP1は、第1絶縁層20の第1主面20Aから露出されるAu層(第1金属層11)と、第1金属層11に積層されたPd層(第2金属層12)と、第2金属層12と配線層21との間に形成されたCu層(第3金属層13)とからなる3層構造を有している。また、第1金属層11の第1主面11Aは、凹凸の極めて少ない平滑面に形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ最外層の絶縁層の表面から露出されるパッドが形成された配線基板であって、 前記パッドは、前記最外層の絶縁層の表面から露出される第1金属層と、前記第1金属層と前記配線層との間に形成された第2金属層とからなり、 前記第1金属層は、金又は銀から選択される金属、もしくは金及び銀の少なくとも一種を含む合金からなり、 前記第2金属層は、パラジウム又はパラジウム合金からなることを特徴とする配線基板。

IPC (5件)：

H05K 3/34 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/38 ,  H05K 3/46 ,  H01L 23/12

FI (7件)：

H05K3/34 501E ,  H05K3/24 A ,  H05K3/38 B ,  H05K3/46 B ,  H01L23/12 F ,  H01L23/12 501B ,  H01L23/12 N

Fターム (24件)：

5E319AC02 ,  5E319AC18 ,  5E319BB04 ,  5E319GG03 ,  5E343AA12 ,  5E343BB17 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB48 ,  5E343BB67 ,  5E343CC67 ,  5E343DD43 ,  5E343EE52 ,  5E343GG01 ,  5E343GG18 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346EE31 ,  5E346FF15 ,  5E346HH11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 配線基板および配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-098458   出願人：新光電気工業株式会社
• チップ型半導体装置の実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-028889   出願人：ローム株式会社
• 配線基板及びその製造方法並びに半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-168083   出願人：日本電気株式会社, NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-171442   出願人：新光電気工業株式会社