半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：前田実 , 山形洋一 , 篠原昌彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-109073
公開番号（公開出願番号）：特開2012-243784
出願日： 2011年05月16日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：

【課題】シンカー層を含むエピタキシャル層の厚さを増大させても耐圧性能の向上が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、第1導電型の埋め込み拡散層16Na,16Nd,16Nbを有する支持基板10と、第1導電型と同じ導電型のシンカー層21Na,21Nbを有するエピタキシャル層20と、シンカー層21Na,21Nbから離れた領域でエピタキシャル層20上に形成された電極層31とを備える。支持基板10の上層部は、エピタキシャル層の上面に向けて突出する凸状部10Pa,10Pbを有し、シンカー層21Na,21Nbは、エピタキシャル層20の上面近傍から凸状部10Pa,10Pbにおける埋め込み拡散層16Na,16Nbにまで延在する不純物拡散領域からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の埋め込み拡散層を上層部として有する支持基板と、前記支持基板上に形成され、前記第1導電型と同じ導電型のシンカー層を有するエピタキシャル層と、前記シンカー層から前記支持基板の厚み方向とは垂直な横方向に離れた領域で前記エピタキシャル層上に形成された電極層とを備え、前記支持基板の上層部は、前記エピタキシャル層の上面に向けて突出する凸状部を有し、前記シンカー層は、前記エピタキシャル層の上面近傍から前記凸状部における前記第1の埋め込み拡散層にまで前記厚み方向に延在する不純物拡散領域からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/06 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/48 F , H01L29/06 301V , H01L29/78 301X

Fターム (34件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB28 , 4M104CC03 , 4M104DD24 , 4M104DD26 , 4M104DD30 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F140AA25 , 5F140AB06 , 5F140AC01 , 5F140BA16 , 5F140BD19 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF44 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BH17 , 5F140BH41 , 5F140BH43 , 5F140CB01 , 5F140CB07 , 5F140CD02

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-237133
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-014945 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
特開平2-051274

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