特許
J-GLOBAL ID：201203059672622897
レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-054410
公開番号（公開出願番号）：特開2012-189879
出願日： 2011年03月11日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのLWRを改善できるレジストパターン改善化材料、並びに該レジストパターン改善化材料を用いたレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の提供。【解決手段】下記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムと、水とを含有するレジストパターン改善化材料である。 ただし、前記一般式(1)中、nは、8〜18の整数を表す。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される塩化ベンザルコニウムと、水とを含有することを特徴とするレジストパターン改善化材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 502R
