スルー基板ビアの側壁及び他の深堀りエッチングされた構造を平滑化するためのポストエッチング反応性プラズマミーリング

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安齋嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-524970
公開番号（公開出願番号）：特表2012-501540
出願日： 2009年08月11日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：

反応性プラズマミーリングを使用してエッチングされた構造の側壁を平滑化する方法。この平滑化法は、構造の壁表面上の表面粗さの原因となる側壁のノッチング深さを減少させる。この方法は、前記シリコン含有構造の内面及び外面から残留高分子材料を除去するステップと、シリコン含有構造にパルス化されたRF電力でバイアスを掛けながら、原料ガスから生成される反応性プラズマでシリコン含有構造の内面を処理するステップを含む。原料ガスは、シリコン及び不活性ガスと反応する試薬を含む。この方法は、内面上に約500nm以下のノッチ深さを提供する。

請求項（抜粋）：

滑らかな表面を生成するためにシリコン含有構造の内面を反応性プラズマミーリングする方法であって、前記シリコン含有構造の前記内面及び外面から残留高分子材料を除去するステップと、前記シリコン含有構造にパルス化されたRF電力でバイアスを掛けながら、シリコン及び不活性ガスと反応する試薬を含む原料ガスから生成される反応性プラズマで前記シリコン含有構造の前記内面を処理するステップを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , B81C 1/00

FI (2件)：

H01L21/302 105 , B81C1/00

Fターム (21件)：

3C081AA17 , 3C081BA04 , 3C081BA10 , 3C081CA14 , 3C081DA03 , 5F004AA09 , 5F004AA11 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004CA09 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DB01 , 5F004EA37 , 5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

エッチング方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-296039 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-204353 出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社, 三洋半導体製造株式会社
エッチング方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-349735 出願人：株式会社アルバック

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