特許
J-GLOBAL ID：200903065720905507

エッチング方法および装置

発明者：
松浦 正道

松浦 正道 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 慎吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-349735
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165032
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 付着物を確実に除去することが可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】 反応ガスを導入して、トンネル接合膜10aにバイアスを連続的に印加しつつ、プラズマを間歇的に発生させる。(a)プラズマ非発生時には、反応ガス分子92aが凹部20の側壁に等方的に吸着して、揮発性化合物が形成される。(b)プラズマ発生時には、反応ガスイオン94を凹部20の側壁に衝突させて、揮発性化合物を雰囲気中に離脱させることができる。これにより、凹部20の側壁への付着物22を確実かつ効率的に除去することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
反応ガスを導入し、機能膜にバイアスを連続的に印加しつつ、プラズマを間歇的に発生させて、前記機能膜のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。
IPC (6件)：
H01L 21/306 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (6件)：
H01L21/302 101C ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L21/302 106 ,  H01L27/10 447
Fターム (12件)：
5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA06 ,  5F004CA09 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB14 ,  5F004DB29 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083PR03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 国際公開第WO01/084570号パンフレット
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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