特許
J-GLOBAL ID:201203063748993307

誘導結合プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-095154
公開番号(公開出願番号):特開2012-227427
出願日: 2011年04月21日
公開日(公表日): 2012年11月15日
要約:
【課題】 被処理基板の大型化に対応でき、かつ、処理室内におけるプラズマ分布の制御性を良好にすることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ11a、11bと、プラズマ生成領域と高周波アンテナとの間に配置される金属窓3と、を備え、金属窓3が、この金属窓3の周方向θに沿って2以上に互いに電気的に絶縁されて分割される第1の分割がされ(3a、3b)、かつ、第1の分割がされた金属窓3が、さらに周方向θと交差する方向r1、r2に沿って互いに電気的に絶縁されて分割される第2の分割がされている(3a1〜3a4、3b1〜3b4)。【選択図】図4
請求項(抜粋):
処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させ、基板をプラズマ処理する誘導結合プラズマ処理装置であって、 前記プラズマ生成領域に前記誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナと、 前記プラズマ生成領域と前記高周波アンテナとの間に配置される金属窓と、を備え、 前記金属窓が、この金属窓の周方向に沿って2以上に互いに電気的に絶縁されて分割される第1の分割がされ、かつ、前記第1の分割がされた金属窓が、さらに前記周方向と交差する方向に沿って互いに電気的に絶縁されて分割される第2の分割がされていることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/505
FI (4件):
H01L21/302 101C ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 L ,  C23C16/505
Fターム (14件):
4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030KA20 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP02 ,  5F045EF01 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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