特許
J-GLOBAL ID：201203064280702730
半導体素子および逆導通IGBT
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-001955
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151470
出願日： 2012年01月10日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】 半導体素子および逆導通IGBTを提供すること。【解決手段】 半導体素子を提供する。本半導体素子は、ベース領域(1)を有する半導体ボディ(40)と、半導体ボディ(40)の主水平面(15)上に配置された第1の電極(10)とを含む。半導体ボディ(40)はさらに、ベース領域(1)との間で第1のpn接合(9)を形成しているボディ領域(2)を有するIGBTセル(110)と、ベース領域(1)との間で第2のpn接合(9a)を形成しているアノード領域(2a)を有するダイオードセル(120)と、を含む。垂直断面において、IGBTセル(110)内にのみ、第1の電極(10)とオーミック接触しているソース領域(3)と、第1の電極(10)とオーミック接触している反ラッチアップ領域(4)とが形成されている。反ラッチアップ領域(4)は、最大ドープ濃度がボディ領域(2)より高い。さらに、逆導通IGBTを提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型のベース領域(1)と主水平面(15)とを備える半導体ボディ(40)と、
前記主水平面(15)上に配置された第1の電極(10)と、
を備える半導体素子であって、
前記半導体ボディ(40)はさらに、垂直断面において、
前記ベース領域(1)との間で第1のpn接合(9)を形成している第2の導電型のボディ領域(2)を備えるIGBTセル(110)と、
前記ベース領域(1)との間で第2のpn接合(9a)を形成している前記第2の導電型のアノード領域(2a)を備えるダイオードセル(120)と、
前記第1の導電型であって前記第1の電極(10)とオーミック接触しているソース領域(3)と、前記第2の導電型であって前記第1の電極(10)とオーミック接触している反ラッチアップ領域(4)と、を備え、前記ソース領域(3)および前記反ラッチアップ領域(4)は、前記垂直断面において、前記IGBTセル(110)内にのみ形成されており、前記反ラッチアップ領域(4)の最大ドープ濃度は、前記ボディ領域(2)の最大ドープ濃度より高い、
半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 29/78
, H01L 29/739
H01L29/78 657D
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655G
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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