特許
J-GLOBAL ID：201103093318425304
絶縁ゲート型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-193473
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181886
出願日： 2010年08月31日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】低オン電圧と低スイッチング損失とを両立することができる絶縁ゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】間引き型のIGBT素子において、ダミーセルのP型のフロート層18にN型のホールストッパー層19を設ける。また、このホールストッパー層19により分割された第1の層18aをエミッタ電極21に接地する。これにより、コレクタ電極24からフロート層18を介してゲート電極17に到達する経路に形成される帰還容量の中に溜まる電荷はほとんど無くなるため、スイッチング損失を低減できる。さらに、P型のフロート層18に設けられたN型のホールストッパー層19が電位の壁となるので、半導体基板10からフロート層18を介してエミッタ電極21にホールが抜けてしまうことを抑制することができる。このため、半導体基板10の抵抗が下がり、IGBT素子のオン電圧を下げることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一面(10a)を有する第1導電型の半導体基板(10)のうちの前記一面(10a)側に第2導電型の複数のチャネル領域(13)および第2導電型の複数のフロート領域(18)が形成され、前記チャネル領域(13)の表層部に第1導電型のエミッタ領域(14)とこのエミッタ領域(14)よりも深い第2導電型のボディ領域(15)が形成されており、
前記複数のチャネル領域(13)と前記複数のフロート領域(18)とが前記半導体基板(10)の一面(10a)に平行な面方向に所定の配置順で繰り返し配置されることにより前記複数のチャネル領域(13)の間に前記エミッタ領域(14)が形成されていない前記フロート領域(18)が配置された間引き型のIGBT素子を備えた絶縁ゲート型半導体装置であって、
前記フロート領域(18)には、前記半導体基板(10)の一面(10a)を基準とした前記フロート領域(18)の深さ方向に前記フロート領域(18)を前記半導体基板(10)の一面(10a)側の第1の領域(18a)と前記フロート領域(18)の底部側の第2の領域(18b)とに分割すると共に、前記ボディ領域(15)の底部よりも前記半導体基板(10)の一面(10a)側に位置する第1導電型のホールストッパー層(19)が形成されており、
前記エミッタ領域(14)および前記第1の領域(18a)は、前記半導体基板(10)の一面(10a)に設けられたエミッタ電極(21)にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 29/06
, H01L 27/04
, H01L 27/06
, H01L 21/823
, H01L 27/088
H01L29/78 652C
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655G
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 655D
, H01L29/78 657D
, H01L29/78 652S
, H01L27/06 102A
, H01L27/08 102E
5F048AA07
, 5F048AB10
, 5F048AC06
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BA16
, 5F048BB01
, 5F048BB02
, 5F048BB05
, 5F048BB19
, 5F048BB20
, 5F048BC01
, 5F048BC02
, 5F048BC03
, 5F048BC12
, 5F048BD04
, 5F048BD07
, 5F048BE09
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F048BF18
, 5F048BG02
, 5F048BG12
, 5F048BH05
, 5F048CB07
出願人引用 (6件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-007767
出願人：トヨタ自動車株式会社
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-086555
出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-013459
出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (6件)
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-007767
出願人：トヨタ自動車株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-086555
出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-013459
出願人：株式会社東芝
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