特許
J-GLOBAL ID：201203067631549711

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
倉橋 菜緒子

倉橋 菜緒子 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-027670
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169369
出願日： 2011年02月10日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：
【課題】ノーマリ・オフ動作に適したMIS型を採用するも、電流コラプス特性を大幅に向上させて、デバイス効率及び耐圧に優れた信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。【解決手段】化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2上に形成されたゲート絶縁膜6と、ゲート電極7とを含み、ゲート電極7は、ゲート絶縁膜6上に形成されたゲート基部7aと、ゲート基部7a上に形成されたゲート傘部7bとを有しており、ゲート傘部7bの下面が化合物半導体積層構造2とショットキー接触する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
化合物半導体積層構造と、 前記化合物半導体積層構造上に形成されたゲート絶縁膜と、 ゲート電極と を含み、 前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート基部と、前記ゲート基部上に形成されたゲート傘部とを有しており、 前記ゲート傘部の下面が前記化合物半導体積層構造とショットキー接触することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B
Fターム (46件)：
5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21 ,  5F140AA25 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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