特許
J-GLOBAL ID：201203068531831777
マイクロ構造体の製造方法及び光パターン形成性犠牲膜形成用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-113622
公開番号（公開出願番号）：特開2012-018390
出願日： 2011年05月20日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：
【解決手段】(i)基板上への犠牲膜パターン形成段階、(ii)犠牲膜パターン上への無機材料膜形成段階、(iii)犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する段階を含むマイクロ構造体の製造方法において、(i)段階は、(A)クレゾールノボラック系樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物のいずれかと、架橋剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物で犠牲膜を成膜する工程、(B)該犠牲膜に第1の高エネルギー線照射を行う工程(C)現像でポジ型犠牲膜パターン形成工程(D)該犠牲膜パターンに第2の高エネルギー線照射を行う操作及び加熱操作を含み、クレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程、を含む。【効果】高精度な平面形状及び適切な側壁形状を有し、熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(i)基板上に成膜された犠牲膜を加工して犠牲膜パターンを形成する段階、
(ii)犠牲膜パターン上に無機材料膜を形成する段階、
(iii)上記無機材料膜の一部にエッチング用の開口部を設け、該開口部を通じてエッチングにより犠牲膜パターンを除去し、犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する段階
を含むマイクロ構造体の製造方法において、
上記(i)段階である犠牲膜パターンを形成する段階は、
(A)
(A-1)一部又は全部のフェノール性水酸基が1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂(i)、又は該一部又は全部のフェノール性水酸基が1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂とフェノール性水酸基がエステル化されていないクレゾールノボラック樹脂との混合物(ii)、
(A-2)(A-1)のノボラック樹脂(i)又はノボラック樹脂混合物(ii)と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物、
(A-3)フェノール性水酸基がエステル化されていないクレゾールノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物
のいずれかを含むと共に、酸触媒によりクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成しうる架橋剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物を用い、2〜20μmの膜厚を持つ犠牲膜を成膜する工程、
(B)該光パターン形成性犠牲膜に第1の高エネルギー線によるパターン照射を行う工程、
(C)アルカリ性現像液による現像でポジ型の犠牲膜パターンを形成する工程、
(D)得られた該犠牲膜パターンに第2の高エネルギー線照射を行う操作及び該第2の高エネルギー線照射後に100〜220°Cで加熱する操作を含み、上記犠牲膜パターン中のクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程
を含むことを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。
IPC (4件)：
G03F 7/023
, B81C 1/00
, G03F 7/004
, G03F 7/40
G03F7/023 501
, B81C1/00
, G03F7/023 511
, G03F7/004 501
, G03F7/40 501
2H096AA30
, 2H096BA06
, 2H096BA10
, 2H096EA02
, 2H096GA09
, 2H096HA01
, 2H096HA03
, 2H125AE03P
, 2H125AF03P
, 2H125AF08P
, 2H125AF53P
, 2H125AM80P
, 2H125AN39P
, 2H125AN57P
, 2H125BA22P
, 2H125BA32P
, 2H125BA33P
, 2H125CA30
, 2H125CB05
, 2H125CB06
, 2H125CC03
, 2H125CC21
, 2H125CD08P
, 2H125CD20P
, 2H125CD31
, 2H125CD35
, 2H125CD38
, 3C081AA17
, 3C081CA03
, 3C081CA14
, 3C081CA23
, 3C081CA29
, 3C081CA31
, 3C081DA45
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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