プラズマ装置およびこれを用いた半導体薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-168200
公開番号（公開出願番号）：特開2012-028682
出願日： 2010年07月27日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：

【課題】接地インピーダンスを最小化することによって、VHF帯の周波数領域においても大型基板での処理を安定に行うことができるプラズマ装置を得る。【解決手段】ステージとシャワープレートとの間隔を調整するステージ移動機構と、ステージから接地手段に至る接地経路のうち、ステージ外周部とそれに近接する真空チャンバの内壁面とを短絡する導電性の通電部材を有し、通電部材はステージの移動に沿って摺動する電気接点を有しており、電気接点は高周波電力によってシャワープレートと基板との間に発生したガスのプラズマから遮蔽されている構成としたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性の真空チャンバと、前記真空チャンバと絶縁されて設置されたガスの供給口を有するシャワープレートと、前記シャワープレートに対向して設置された基板を搭載するステージと、前記シャワープレートに高周波電力を給電する給電手段と、前記真空チャンバを接地する接地手段と、前記ステージを移動させて前記ステージと前記シャワープレートとの間隔を調整するステージ移動機構と、前記ステージの外周部に固定された、前記外周部と前記真空チャンバとの間を短絡する導電性の通電部材とを有し、前記通電部材は前記ステージの移動に沿って摺動する電気接点を形成し、前記電気接点は前記高周波電力によって前記シャワープレートと前記基板との間に発生した前記ガスのプラズマから遮蔽されていることを特徴とするプラズマ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , H01L 21/306 , C23C 16/509 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/31 C , H01L21/302 101B , C23C16/509 , H05H1/46 M

Fターム (18件)：

4K030EA05 , 4K030FA03 , 4K030GA02 , 4K030KA12 , 4K030KA14 , 4K030LA16 , 4K030LA18 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BD04 , 5F004CA03 , 5F004CA05 , 5F045AA08 , 5F045EH13 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (6件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-145785 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
堆積膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-089978 出願人：キヤノン株式会社
プラズマ処理装置およびインピーダンス測定具
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-340806 出願人：株式会社フロンテック, アルプス電気株式会社, 大見忠弘

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