特許
J-GLOBAL ID：201203074624141258

半導体構造同士を直接結合する方法、およびこの方法を使用して形成された結合された半導体構造

発明者：
マリアム サダカ

マリアム サダカ について


出願人/特許権者：
ソイテック

ソイテック について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-260461
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129521
出願日： 2011年11月29日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：
【課題】半導体構造同士を直接結合する方法を提供すること。【解決手段】本発明の実施形態は、半導体構造同士を直接結合する方法を含む。いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ間の境界面に、キャップ層を提供することができる。いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ内に、不純物が提供される。そのような方法を使用して、結合された半導体構造が形成される。【選択図】図1G
請求項（抜粋）：
第1の半導体構造を第2の半導体構造へ直接結合する方法であって、 前記第1の半導体構造上の第1の金属フィーチャの表面に、金属およびケイ素を含むキャップ層を形成するステップであり、前記キャップ層の表面は、前記第1の金属フィーチャの第1の結合表面を画定する、ステップと、 前記第2の半導体構造上の第2の金属フィーチャの第2の結合表面を前記第1の半導体構造上の前記第1の金属フィーチャの前記第1の結合表面へ直接結合するステップと を含むことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/603
FI (3件)：
H01L21/90 A ,  H01L25/08 Z ,  H01L21/603 B
Fターム (37件)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033KK15 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP00 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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