特許
J-GLOBAL ID：200903006096123349

高信頼性銅配線及びその製造方法

発明者：
岩崎 晃久

岩崎 晃久 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-002296
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164471
出願日： 2008年01月09日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
【課題】銅配線を用いる半導体装置において、銅配線の酸化を防ぐと共に、配線間誘電率を低下させる。【解決手段】半導体装置10は、半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜11と、第1の層間絶縁膜11上に埋め込まれて形成され、銅を含む導電膜12bを有する配線12と、配線12上を含む第1の層間絶縁膜11上に形成された絶縁性バリア膜15と、絶縁性バリア膜15上に形成され、低誘電率膜からなる第2の層間絶縁膜16と、導電膜12bと絶縁性バリア膜15との間に導電膜12上を覆うように形成され、銅よりも酸化還元電位の大きい元素を含む合金層17とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜と、 前記第1の層間絶縁膜に埋め込まれ、銅を含む導電膜を有する配線と、 前記配線上を含む前記第1の層間絶縁膜上に形成された絶縁性バリア膜と、 前記絶縁性バリア膜上に形成され、低誘電率膜からなる第2の層間絶縁膜とを備え、 前記配線は、前記絶縁性バリア膜との間に前記導電膜を覆うように形成され且つ銅よりも酸化還元電位の大きい元素を含む合金層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (6件)：
H01L21/88 R ,  H01L21/88 M ,  H01L21/90 J ,  H01L21/312 C ,  H01L21/316 M ,  H01L21/312 M
Fターム (32件)：
5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP12 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR29 ,  5F033WW02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AH02 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC04 ,  5F058BD06 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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