発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-161878
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339384
出願日： 2005年06月01日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】紫外光の光取り出し効率がより大きく改善され、小さい電力で良好な発光強度を得ることができる高性能な発光素子を提供すること。【解決手段】発光素子は、Alを含む窒化ガリウム系化合物半導体から成る第1,第2導電型半導体層1b,1cの間に、Alを含まないかまたは第1,第2導電型半導体層1b,1cよりも少ないAlを含む窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層1aが挟まれている窒化ガリウム系化合物半導体層1の一方主面1b1に形成された透光性導電層2と、窒化ガリウム系化合物半導体層1の他方主面1c1側の層に電気的に接続された導電層3とを具備し、窒化ガリウム系化合物半導体層1の他方主面1c1から窒化ガリウム系化合物半導体層1をエピタキシャル成長させた基板が除去されており、他方主面1c1に反射層5が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化学式Ga1-x-yInyAlxN(ただし、0<x+y<1,x>0,y≧0とする。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る第1導電型半導体層と、化学式Ga1-x’-y’Iny’Alx’N(ただし、0<x’+y’<1,x’>0,y’≧0とする。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る第2導電型半導体層との間に、化学式Ga1-x”-y”Iny”Alx”N(ただし、0<x”+y”<1,x”>0,y”≧0とする。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層が挟まれて形成されている窒化ガリウム系化合物半導体層(ただし、x,x’>x”,y,y’≦y”とする。)の一方主面に形成された透光性導電層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の他方主面側の半導体層に電気的に接続された導電層とを具備し、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の前記他方主面から前記窒化ガリウム系化合物半導体層をエピタキシャル成長させるために用いた基板が除去されており、前記他方主面側に反射層が形成されていることを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (4件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA40 , 5F041CA65

引用特許：

出願人引用 (20件)

特開平2-42770号公報
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310173 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-036618 出願人：豊田合成株式会社

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審査官引用 (6件)

発光ダイオードの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-064528 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
発光ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-174705 出願人：三星電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-146965 出願人：京セラ株式会社

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