特許
J-GLOBAL ID：200903006252438207

窒化ガリウム半導体発光素子

発明者：
中原 健

中原 健 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-346845
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157766
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】AlGaN半導体層とGaN系半導体層との界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化ガリウム半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板1のR面上に、発光領域を含む窒化ガリウム半導体結晶2が形成されている。また、他の構成では、GaN基板3、4の面又はM面に窒化ガリウム半導体結晶2が形成される。これらの窒化ガリウム半導体結晶2は、その成長表面がN(窒素)極性面やGa極性面ではなく、無極性面となるので、p側のGaN/AlGaNの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型半導体層、発光領域、p型半導体層を順に備え、前記p型半導体層側に形成されるとともに1019cm-3以下のMgを含むAlGaN半導体層と、該AlGaN半導体層よりもn側に位置するGaN半導体層との界面を有する窒化ガリウム半導体発光素子であって、 前記n型半導体層からAlGaN半導体層までは、成長表面がGaNの窒素極性でもGa極性でもない無極性方向で形成されていることを特徴とする窒化ガリウム半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (18件)：
5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F173AA01 ,  5F173AA21 ,  5F173AF25 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AJ04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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