特許

J-GLOBAL ID：201203076424670917

熱電変換材料及びその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：大谷保 , 片岡誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-033980
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174813
出願日： 2011年02月18日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】熱伝導率が低減され、電気伝導率の低下が抑制された、トータルとして熱電性能指数が向上した熱電変換材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】(1)基板の厚み方向に、独立した微細孔を有するアルミナ基板上に、p型ビスマステルライドを成膜したことを特徴とする熱電変換材料、及び(1)のアルミナ微細孔作製工程とp型ビスマステルライド成膜工程とを有する熱電変換材料の製造方法である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板の厚み方向に、独立した微細孔を有するアルミナ基板上に、p型ビスマステルライドを成膜したことを特徴とする熱電変換材料。

IPC (3件)：

H01L 35/16 , H01L 35/32 , H01L 35/34

FI (3件)：

H01L35/16 , H01L35/32 A , H01L35/34

引用特許：

出願人引用 (11件)

熱電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-245600 出願人：松下電器産業株式会社
熱電ナノチューブアレイ
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-513351 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
熱電ナノワイヤ素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-527258 出願人：インテルコーポレイション

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審査官引用 (11件)

熱電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-245600 出願人：松下電器産業株式会社
熱電ナノチューブアレイ
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-513351 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
熱電ナノワイヤ素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-527258 出願人：インテルコーポレイション

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引用文献：

出願人引用 (1件)

Template Synthesis of Bismuth Porous Films and Networked X-Shape Nanowires

審査官引用 (1件)

Template Synthesis of Bismuth Porous Films and Networked X-Shape Nanowires

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