金属塩化物ガスの発生装置および金属塩化物ガスの発生方法、並びに、ハイドライド気相成長装置、窒化物半導体ウエハ、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体発光ダイオード用ウエハ、窒化物半導体自立基板の製造方法および窒化物半導体結晶

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：油井透 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-121737
公開番号（公開出願番号）：特開2012-248803
出願日： 2011年05月31日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：

【課題】金属塩化物ガス濃度の安定性の向上と金属塩化物ガスの濃度変化の応答性の向上が図れる金属塩化物ガスの発生装置を提供する。【解決手段】金属原料Mを収容する原料容器1と、原料容器1内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスG1を供給する、原料容器1に設けられたガス供給口2と、塩素系含有ガスG1に含まれる塩素系ガスと金属原料Mとの反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスG2を原料容器1外に排出する、原料容器1に設けられたガス排出口2と、原料容器1内の金属原料Mの上方の空間Sを仕切って、ガス供給口2からガス排出口3へと続くガス流路Pを形成する仕切板6とを備え、ガス流路Pは、ガス供給口2からガス排出口3へと至る一通りの経路Rとなるように形成され、ガス流路Pの水平方向の流路幅Wが5cm以下であり、且つガス流路Pには屈曲部Eを有する金属塩化物ガスの発生装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属原料を収容する原料容器と、前記原料容器内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスを供給する、前記原料容器に設けられたガス供給口と、前記塩素系含有ガスに含まれる塩素系ガスと前記金属原料との反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスを前記原料容器外に排出する、前記原料容器に設けられたガス排出口と、前記原料容器内の前記金属原料の上方の空間を仕切って、前記ガス供給口から前記ガス排出口へと続くガス流路を形成する仕切板とを備え、前記ガス流路は、前記ガス供給口から前記ガス排出口へと至る一通りの経路となるように形成され、前記ガス流路の水平方向の流路幅が5cm以下であり、且つ前記ガス流路には屈曲部を有することを特徴とする金属塩化物ガスの発生装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/448

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/448

Fターム (25件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030KA03 , 4K030KA23 , 4K030KA25 , 4K030LA14 , 5F045AA01 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC19 , 5F045BB04 , 5F045CA09 , 5F045DA59 , 5F045DP09 , 5F045DQ03 , 5F045EE02

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化ガリウム系化合物半導体気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-010733 出願人：京セラ株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-242166 出願人：株式会社日本イー・エム・シー
特開平2-230720

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