磁気メモリ及び磁気メモリ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤原康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-048105
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186303
出願日： 2011年03月04日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】本発明の実施形態によれば、低電流で書き込み動作を行うことができる大容量の磁気メモリ及び磁気メモリ装置を提供することができる。【解決手段】第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層とを結ぶ第1の方向において前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第2の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第2の中間層と、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記第3の磁性層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第3の磁性層が設けられた側とは反対側に設けられた電極と、を備える。【選択図】図1(A)

請求項（抜粋）：

第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層とを結ぶ第1の方向において前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第2の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第2の中間層と、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記第3の磁性層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第3の磁性層が設けられた側とは反対側に設けられた電極と、を備え、前記電極に正の電圧を与え、前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に第1の電流値で電流を流すことで前記第2の磁性層に情報を書き込むことを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , G11C11/15 110

Fターム (34件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD08 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD47 , 4M119JJ15 , 5F092AA01 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC12 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092CA20

引用特許：

出願人引用 (4件)

スピントランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-229199 出願人：TDK株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-130761 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
スピン注入型磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-087950 出願人：ソニー株式会社

全件表示

審査官引用 (4件)

スピントランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-229199 出願人：TDK株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-130761 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
スピン注入型磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-087950 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る